LCP-9雷射切割保護液形成的薄膜，在塗佈均勻上、耐烘烤、水洗容易去除上，已初步符合客戶需求。經雷射切割測試後，發現雷射造成的餘熱會使薄膜焦化。(如下圖)。而焦化的地方不容易以清水去除，Coating液會殘留於切割道, BCB及bump上

隨著轉數降低，薄膜厚度增加，焦化現象會改善。

將Coating後的薄膜，預先使用烤箱烘烤5分鐘結果如下
(因客戶的烘箱在50℃無法穩定，溫度會再55~65℃飄動，目前客戶量產的coating液也是使用70℃烘烤10 min)

將coating薄膜以55~65℃烘烤，對焦化現象及coating液殘留改善並沒有明顯的幫助。

修改配方開發LCP-10。降低界面活性劑的分子量，避免焦化產生。(LCP-10)形成的焦化現象已有效改進，但是仍然需要再改善。(低轉速(高膜厚) 比低膜厚佳,但仍有殘留。) LCP10比LCP09，在抗焦化部分，改善了很多。

開發進度六。再降低界面活性劑的分子量，避免焦化產生。(LCP-11) 高轉速下，殘留狀況比LCP10多。而低轉速測試，(LCP-11)已無焦化現象，但是切割道兩側出現些微融渣(參考下圖)。代表當界面活性劑的分子量太低，形成的薄膜可能保護力不足。

在低轉速下有較好結果。低轉速下，厚度增加，代表相同的能量讓更多的介面活性劑分攤承受。可以避免少量的分子獨自承受高劑量的雷射能量，而超過分子的臨界值而劣化焦化。 增加黏度應該會有幫助。因此將調升雷射切割保護劑的黏度。以雷射切割保護劑LCP10與LCP11為基礎，調升其的介面活性劑含量，提升保護劑黏度，做成LCP10^plus與LCP11^plus。再進行測試。

雷射切割保護劑LCP10^plus測試結果：低轉速與中轉速下形成融渣，代表形成的薄膜可能保護力不足。(是否因膜太厚，低分子量的界面活性劑因濃縮作用，導致成膜結構堅牢度不足？但因膜厚足夠，所以保護膜未因雷射而焦化失去水解能力，所以皆沒有保護膜殘留。如果將保護膜適當烘烤，如40℃烤乾10分鐘後，再雷射切割，是否會提升保護膜堅牢度？如果上膜後，在室溫下放置陰乾1~5小時，再雷射切割，是否會提升保護膜堅牢度？)

高轉速下無融渣，但是有少量的膜殘留。代表形成的薄膜可能因雷射加熱而焦化，失去親水性官能基而無法以清水完全去除。(LCP10^plus高轉速下與LCP10低轉速下測試結果類似，是否代表兩者的膜厚相近？如果在中轉速(1000rpm+1200rpm)與高轉速(1500rpm+2000rpm)之間，找一個中間值(如1300rpm+1500rpm)再進行測試，是否可以找出一個適當的膜厚，剛好足以保護，又不至於因雷射讓薄膜焦化？

雷射切割保護劑LCP11^plus測試結果：低轉速、中轉速與高轉速下皆形成融渣，代表所選用的界面活性劑分子量皆太低，形成的薄膜保護力不足。

以雷射切割保護劑LCP10^plus為基礎，調整配方：
為了減少雷射對保護膜造成燒焦，從編號LCP10開始，將其中添加的一支介面活性劑的分子量下修，這樣的目的是讓熔點降低到分子焦化溫度以下，使的雷射的餘熱只能融解它，不能焦化它。 此介面活性劑添加在LCP11^plus量更多一些，所以發現到結果是不會焦化，但是保護力不足。

所以在LCP12 & LCP12^plus中，將此介面活性劑的分子量再往上修正一些。 而LCP12^plus中添加的介面活性劑，又修正將親水性官能基的比例增加。 目的是希望這些親水性官能基能多捕捉一些水分子，在保護膜受到雷射的餘熱攻擊時，能釋放出來。減少能量對介面活性劑分子結構上的傷害，以避免焦化。 因為一旦焦化，即意味著介面活性劑的分子結構已經遭受到不可預期的改變， 水溶性就會受到傷害，從而導致殘留。

結果如下
LCP12雷射保護膜雷射切割後測試結果：

LCP12-1雷射保護膜雷射切割後測試結果：

建議與討論：

8.1 在兼顧保護效力及清水即能輕易洗去的要求下，客戶反映LCP12-1在轉速300,300 rpm操作形成的保護膜，已能符合期待。
8.2 若客戶能提高清洗溫度或搭配微塵清洗劑PTC13或PTC17^plus清洗，LCP10與LCP12皆可使用。